場(chǎng)效應(yīng)開關(guān)管好壞如何測(cè)試？

朋友堂我不知道你是否有同樣的感覺，但我認(rèn)為它很難區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管。這里我介紹一種簡(jiǎn)單的測(cè)量方法和一種判斷場(chǎng)效應(yīng)開關(guān)管好壞的方法:將萬(wàn)用表的電阻量程設(shè)置為R×1k，用黑色觸針接D極，用紅色觸針接S極，用手同時(shí)觸摸G極和D極，場(chǎng)效應(yīng)開關(guān)管應(yīng)處于瞬時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)，即手要擺動(dòng)到電阻較小的位置；用手再摸一下G極和S極，場(chǎng)效應(yīng)開關(guān)管應(yīng)該沒有反應(yīng)，也就是指針在零位不會(huì)動(dòng)；此時(shí)可以判斷場(chǎng)效應(yīng)開關(guān)管是好管。判斷場(chǎng)效應(yīng)開關(guān)管極性的方法如下:將萬(wàn)用表的阻值范圍設(shè)置為R×1k，分別測(cè)量三個(gè)管腳之間的電阻。如果一個(gè)管腳和另外兩個(gè)管腳之間的電阻是無窮大，換了探頭之后還是無窮大，那么這個(gè)管腳就是G極，另外兩個(gè)管腳就是S極和D極；

然后用萬(wàn)用表測(cè)量一次S極和D極之間的電阻，交換兩根探針后再測(cè)量一次，其中黑色探針接S極，紅色探針接D極。

哪些電器場(chǎng)效應(yīng)管最多？

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場(chǎng)效應(yīng)管做開關(guān)壓降是多少？

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電壓VTN通常約為2V。場(chǎng)效應(yīng)晶體管:場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱。

主要有兩種(結(jié)型FET——JFET)和金屬氧化物半導(dǎo)體FET(簡(jiǎn)稱MOS-FET)。

多數(shù)載流子傳導(dǎo)也稱為單極晶體管。屬于壓控半導(dǎo)體器件。具有高輸入電阻(107~1015ω)、低噪聲、低功耗、大動(dòng)態(tài)范圍、易集成、無二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)，成為雙極晶體管和功率晶體管的有力競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是一種通過控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的半導(dǎo)體器件，因此而得名。

工作原理:一句話，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理是"在漏極和源極之間流動(dòng)的溝道的ID，用于由柵極和溝道之間的pn結(jié)形成的反向偏置柵極電壓控制"。

更準(zhǔn)確地說，ID流過的溝道的寬度，即溝道的橫截面積，是由pn結(jié)反向偏置的變化來控制的，導(dǎo)致耗盡層的膨脹變化。在VGS0的非飽和區(qū)，過渡層的膨脹不是很大，而根根據(jù)施加在漏極和源極之間的VDS電場(chǎng)，源區(qū)中的一些電子被漏極拉走，即電流ID從漏極流向源極。

從柵極延伸到漏極的過渡層將一部分溝道形成為阻擋型，ID飽和。這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層阻擋了一部分通道，但電流沒有被切斷。