磷化鎵的介紹？

化合物半導體磷化銦鎵(GaP)具有優異的電學性能。

磷化鎵是第二代半導體材料，廣泛應用于光通信、集成電路等領域。

5G時代的技術創新帶來了第二代半導體材料的蓬勃發展，如磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)。

根據物理性質，半導體材料可分為三代，即以Si、Ge為代表的第一代，以GaP、lnp、GaAs為代表的第二代，以GaN、SiC為代表的第三代。

磷化鎵(GaP)是一種具有閃鋅礦晶體結構的III~V族化合物，晶格常數為5.87×10-10m，帶隙為1.34eV，室溫下遷移率為3000~4500cm2/(V·s)。

GaP晶體具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強、導熱性好、光電轉換效率高的優點。

它廣泛應用于光通信、高頻毫米波器件、光電集成電路和外層空間用太陽能電池。

硅摻入硼是什么半導體？

摻硼硅形成P型半導體

p型半導體是通過向半導體中摻雜受主雜質而獲得的。由P型半導體或N型半導體單體組成的產品包括熱敏電阻、壓敏電阻和其他電阻。由P型和N型半導體組成的單結半導體元件，最常見的是二極管；另外，F

碳化硅晶體結構？

作為C和si唯一穩定的化合物，SiC的晶格結構由兩個密集排列的亞晶格組成，每個Si(或C)原子通過定向的強四面體SP3鍵與周圍的C(si)原子結合。SiC的四面體鍵雖然很強，但是層錯形成能很低，這就決定了SiC的多型現象。已經發現SiC具有超過250種多型體，并且每個多型體具有C/Si雙原子層。

最常見的多型體是立方3C碳化硅和六方4H，6H碳化硅。不同的多型體具有不同的電學和光學性質。

led外延材料的基本要求？

結構特性好，外延材料和襯底的晶體結構相同或相似，晶格常數失配小，結晶性能好，缺陷密度低。

2、界面特性好，有利于外延材料成核，附著力強。

3、化學穩定性好，在外延生長的溫度和氣氛中不易分解和腐蝕。

4.良好的熱性能，包括良好的導熱性和較小的熱失配。

5、導電性好，可制成上下結構。

6、光學性能好，制作的器件發出的光被襯底吸收少。

7.良好的機械性能和器件的易加工性，包括減薄、拋光和切割。

8、價格低

9、大尺寸，一般要求直徑不小于2英寸。

選擇襯底同時滿足以上九個方面是非常困難的。因此，目前只能通過改變外延生長技術和器件加工。工藝調整以適應不同襯底上半導體發光器件的開發和生產。氮化鎵研究的襯底材料很多，但目前能用于生產的襯底只有三種，分別是藍寶石Al2O3、碳化硅SiC襯底和Si襯底。